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반도체 TLC 시대 열린다…삼성이 끌고 하이닉스 가세
TLC 비중 2분기엔 MLC 앞질러…SK하이닉스, 2분기 본격 양산

(서울=연합뉴스) 옥철 기자 = '반도체 코리아' 쌍두마차에 의해 메모리 반도체의 TLC(트리플레벨셀) 시대가 열린다.
세계 최초로 TLC를 적용한 V낸드 양산에 성공한 삼성전자[005930]가 앞에서 끌고 올해 2분기부터 TLC 제품을 양산하는 SK하이닉스[000660]가 뒤를 받친다.
일본 도시바·샌디스크와 미국의 인텔·마이크론도 모바일용 일부 제품을 공급하고 시제품(샘플)을 출하하면서 맹추격 중이다.
3일 시장조사기관 IHS 테크놀로지와 반도체 업계에 따르면 셀 유형별 웨이퍼 비중은 올해 2분기부터 TLC가 49.4%를 점유해 MLC(멀티레벨셀, 47.4%)를 추월할 전망이다.
셀 유형은 데이터 저장의 최소단위인 셀(cell)에 몇 비트(bit)를 저장할 수 있느냐에 따라 나뉜다.
SLC(싱글레벨셀)는 1비트(0,1)의 데이터를 저장하고 MLC는 2비트(00,01,10,11), TLC는 3비트(000,001,010,011,100,101,110,111)의 데이터를 저장할 수 있다.
TLC는 저장 효율이 2~3배 뛰어나 고용량화가 가능하다는 장점이 있다. 하지만 속도와 안정성은 SLC, MLC에 비해 떨어진다.
따라서 작년까지만 해도 MLC 비중이 58~66%로 압도적이었다. TLC는 32~41%에 머물렀다.
그러다 올해 1분기 TLC 비중이 45%대로 올라와 MLC에 6%포인트 차이로 따라붙었고 2분기부터 역전하는 것으로 예측됐다. 내년 4분기에는 TLC 비중이 56%대, MLC는 13%대에 불과할 전망이다.
반도체 업계의 한 관계자는 "고용량화하면서 합리적 가격을 형성하기 위해서는 TLC 비중이 확대될 수밖에 없다. 선두인 삼성전자가 3D V낸드 등으로 TLC의 한계를 극복하면서 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)의 대중화도 이끌고 있다"고 말했다.
삼성은 2013년 4월 10나노급 128Gb(기가비트) TLC를 본격 양산했고 작년 10월 세계 최초로 TLC를 적용한 V낸드를 양산한 데 이어 작년 12월에는 TLC V낸드를 기반으로 한 SSD '850 EVO'를 출시했다. 올해 3월에는 TLC 기반의 128GB(기가바이트) eMMC를 양산한다고 밝혔다.
SK하이닉스는 16나노 128Gb TLC 제품을 올해 2분기부터 본격 양산해 솔루션 제품 위주로 판매를 확대할 계획이다.
테크놀로지 비중도 TLC가 2분기 말 10% 후반대에서 연말에는 40% 수준으로 증가할 것이라고 SK하이닉스는 설명했다.
SK하이닉스는 TLC 기반의 SSD도 올해 3분기 중 출하하고 3D 낸드에서도 48단 TLC 제품을 올 연말 원가 경쟁력이 있는 시장에서 양산할 계획이다.
oakchul@yna.co.kr
(끝)


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