(샌프란시스코) 임화섭 특파원 = IBM이 7나노미터(nm) 공정으로 제작된 반도체 칩 프로토타입을 9일(현지시간) 공개했다.

이는 IBM이 미국 뉴욕 주 정부, 글로벌파운드리스(GF), 삼성전자, 뉴욕주립대(SUNY) 폴리테크닉 연구소 나노스케일과학공학대학 등과 협력해 개발한 것으로, 현행 14nm 공정보다 두 세대, 내년에 상용화될 10nm 공정보다 한 세대 앞선 '차차세대' 기술이다. 연구팀은 SUNY의 나노테크 단지에 있다. 

이 기술을 이용하면 손톱만한 면적에 200억 개의 실리콘게르마늄(SiGe) 트랜지스터를 집적할 수 있으며, 성능은 현재 상용화된 최신 기술인 14nm 공정 반도체의 약 4배가 된다.

인텔은 2016년부터 10nm 기술을 이용한 제품을 양산할 예정이며, 대만의 반도체 파운드리 업체 TSMC는 2016년에 10nm, 2017년에 7nm 공정 제품을 생산하겠다는 계획을 올해 4월에 발표한 바 있다. 

칩이 아니라 단일 트랜지스터 차원에서는 2002년 IBM이 6nm, 2003년 NEC가 5nm짜리를 만든 적이 있고, IBM이 2012년 탄소나노튜브 기반의 9nm 트랜지스터를 공개한 적도 있으나, 아직 이를 이용한 칩 개발 계획은 공개되지 않고 있다. 반도체 칩은 이런 트랜지스터들이 엄청나게 많이 모인 것이다. 

이번 7nm 칩 개발은 IBM이 작년에 발표한 반도체 투자 계획의 일부다. IBM은 당시 향후 5년간 30억 달러 규모를 반도체 분야에 투자하겠다고 밝혔다.

IBM은 이달 1일 지적재산권, 생산시설, 근로자 등을 포함한 미세전자부품 사업을 GF에 매각하는 거래를 발표 8개월여 만에 마무리했다. 생산은 GF 등 외부에 맡기고 IBM은 칩 개발에 집중하겠다는 것이다.  

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